BSR315PH6327XTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSR315PH6327XTSA1 par Infineon et BSS606NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSR315PH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,22 $0,13
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) 3.2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 1 W (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ) —
Boîtier PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT-89 (TO-243AA)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
Product Family — OptiMOS Small Signal/Power
Type de transistor — N-Channel MOSFET
On-Resistance (RDS(on)) — 60 mΩ max @ VGS=10 V
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +150°C
Qualification — Automotive (per family page)
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — 1 (per SOT-89 family standard)
Reel Quantity — 1000 pcs

Fiches techniques et ressources

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