BSR802NL6327HTSA1 vs BSS205NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSR802NL6327HTSA1 von Infineon und BSS205NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSR802NL6327HTSA1 BSS205NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR802NL6327HTSA1 BSS205NH6327XTSA1
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gehäuse PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Qualification Automotive AEC-Q101
RoHS-Status Compliant —
Pin-Anzahl 3 —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> — 20 V
Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) — 2.5 A
Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) — 500 mW
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) — 85 mΩ
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C (junction)
Gate Drive Voltage — Logic-level compatible
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging — Tape & Reel (H6327)

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