BSR802NL6327HTSA1 vs BSS205NH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSR802NL6327HTSA1 제조: Infineon 및 BSS205NH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSR802NL6327HTSA1 BSS205NH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.15 $0.12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR802NL6327HTSA1 BSS205NH6327XTSA1
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
패키지 PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 접합 온도 -55C to +150C —
Qualification Automotive AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant —
핀 수 3 —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> — 20 V
Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) — 2.5 A
Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) — 500 mW
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) — 85 mΩ
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
동작 온도 범위 — -55 °C to +150 °C (junction)
Gate Drive Voltage — Logic-level compatible
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging — Tape & Reel (H6327)

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