BSS138NH6327XTSA2 vs BSS84PH6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS138NH6327XTSA2 von Infineon und BSS84PH6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS138NH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,10
Polarity N-Channel P-Channel Enhancement Mode
Operating Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA —
Power Dissipation (Ta) 360 mW —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
Gehäuse PG-SOT-23 (3-pin) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
Halogenfrei Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS84PH6327XTSA2
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 360 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 8 ohm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Betriebstemperatur — -55C to +150C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Technology Family — SIPMOS OptiMOS
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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