BSS138NH6327XTSA2 vs BSS84PH6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS138NH6327XTSA2 por Infineon e BSS84PH6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS138NH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,10
Polarity N-Channel P-Channel Enhancement Mode
Operating Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA —
Power Dissipation (Ta) 360 mW —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
Encapsulamento PG-SOT-23 (3-pin) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
Livre de halogênio Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS84PH6327XTSA2
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 360 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 8 ohm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Temperatura de operação — -55C to +150C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Technology Family — SIPMOS OptiMOS
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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