BSS205NH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS205NH6327XTSA1 von Infineon und BSR802NL6327HTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS205NH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS205NH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Gehäuse PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> 20 V —
Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) 2.5 A —
Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) 500 mW —
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) 85 mΩ —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (junction) —
Gate Drive Voltage Logic-level compatible —
Qualification AEC-Q101 Automotive
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packaging Tape & Reel (H6327) —
Technology — OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
RoHS-Status — Compliant
Pin-Anzahl — 3

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