BSS214NWH6327XTSA1 vs BTS3118NHUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS214NWH6327XTSA1 von Infineon und BTS3118NHUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS214NWH6327XTSA1 BTS3118NHUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Gehäuse PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) -40 C to +150 C junction
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Switch Type — Low-Side Power Switch
Ausgangskonfiguration — 1:1
Anzahl der Ausgänge — 1
Continuous Drain Current — 2.17 A
Operating Voltage (Vbb) — 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C]
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible)
Input Protection — ESD protected
Thermal Protection — Thermal shutdown with latch
Fault Protection — Overload, short-circuit, overvoltage, current limit
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant
Process Technology — Smart SIPMOS (vertical N-channel)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern