BSS214NWH6327XTSA1 vs BTS3118NHUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS214NWH6327XTSA1 por Infineon e BTS3118NHUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS214NWH6327XTSA1 BTS3118NHUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Encapsulamento PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) -40 C to +150 C junction
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Switch Type — Low-Side Power Switch
Configuração de saída — 1:1
Número de saídas — 1
Continuous Drain Current — 2.17 A
Operating Voltage (Vbb) — 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C]
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible)
Input Protection — ESD protected
Thermal Protection — Thermal shutdown with latch
Fault Protection — Overload, short-circuit, overvoltage, current limit
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant
Process Technology — Smart SIPMOS (vertical N-channel)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação