BSS306NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS306NH6327XTSA1 von Infineon und BSS214NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS306NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,14 $0,09
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Gehäuse SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

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