BSS306NH6327XTSA1 vs BSS806NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS306NH6327XTSA1 von Infineon und BSS806NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS306NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,14 $0,19
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Gehäuse SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 2.3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 57 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.8 V rated (logic level)
Gate Drive (recommended VGS) — 1.8 V to 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (PD, Ta) — 500 mW
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C (junction)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status — Compliant (Pb-free plating)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern