BSS306NH6327XTSA1 vs BSS806NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS306NH6327XTSA1 par Infineon et BSS806NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS306NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,14 $0,19
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Boîtier SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 2.3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 57 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.8 V rated (logic level)
Gate Drive (recommended VGS) — 1.8 V to 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (PD, Ta) — 500 mW
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C (junction)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS — Compliant (Pb-free plating)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fiches techniques et ressources

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