BSS606NH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS606NH6327XTSA1 von Infineon und BSR315PH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS606NH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,13 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 500 mW (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
Gehäuse PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] ±20 V (max VGS)
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 (per SOT-89 family standard) —
Reel Quantity 1000 pcs —
Part Number — BSR315PH6327XTSA1
Series — OptiMOS P-Channel
FET Type — P-Channel, Enhancement Mode
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C (TJ)
Pin-Anzahl — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

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