BSS606NH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS606NH6327XTSA1 par Infineon et BSR315PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS606NH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,13 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 500 mW (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
Boîtier PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] ±20 V (max VGS)
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 (per SOT-89 family standard) —
Reel Quantity 1000 pcs —
Part Number — BSR315PH6327XTSA1
Series — OptiMOS P-Channel
FET Type — P-Channel, Enhancement Mode
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C (TJ)
Nombre de broches — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

Fiches techniques et ressources

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