BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ036NE2LSATMA1 von Infineon und BSZ024N04LS6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ036NE2LSATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
Gehäuse PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount, top-side drain pad
Configuration Single —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C —
MSL-Level 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 6 (shielded-gate trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 24 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 130 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 2.4 mΩ
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.3 V (typical)
Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V — 25 nC
Input Capacitance (C_iss) — 1.8 nF
Output Capacitance (C_oss) — 19 pF
Power Dissipation (P_D, Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (P_D, Tc) — 75 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern