BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ036NE2LSATMA1 от Infineon и BSZ024N04LS6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ024N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,42 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount, top-side drain pad |
| Configuration | Single | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | — |
| Уровень MSL | 1 (Unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 130 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 2.4 mΩ |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.3 V (typical) |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | — | 25 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 1.8 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 19 pF |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55°C to +175°C |