BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ130N03LSGATMA1 von Infineon und BSC010NE2LSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ130N03LSGATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,41 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
Gehäuse PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (TJ)
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Series / Family — OptiMOS 25V
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Technology — OptiMOS (Trench)
Pin-Anzahl — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Datenblätter & Ressourcen

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