BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ130N03LSGATMA1 por Infineon e BSC010NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ130N03LSGATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (TJ)
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Series / Family — OptiMOS 25V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Technology — OptiMOS (Trench)
Contagem de pinos — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Fichas técnicas e recursos

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