BTF3050TEATMA1 vs BTH60801EPLXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTF3050TEATMA1 von Infineon und BTH60801EPLXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTF3050TEATMA1 BTH60801EPLXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $1,74
Switch Type N-Channel Low-Side Power Switch —
Ausgangskonfiguration 1:1 (Single channel) —
Continuous Drain Current (ID) 3 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 100 mOhm —
Current Limit (Internal) 30 A —
Logic Input Voltage (Vcc) 3.0 V to 5.5 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
Turn-On Time Max 15 us —
Turn-Off Time Max 30 us —
Adjustable Slew Rate Yes (SR pin) —
ESD Protection Yes (on-chip) —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +150 C -40 °C to +150 °C (Tj)
Gehäuse PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-TSDSO-14 (exposed pad)
Montageart Surface Mount (DPAK tab) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100 qualified
Family HITFET+ (low-side) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Smart High-Side Power Switch
Number of Channels — 1
Topologie — High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump
On-State Resistance (RDS(on)) — 80 mΩ (typical)
Continuous Load Current — 2.5 A
Operating Voltage Range — 4 V to 54 V
Nominal Board Net — 48 V (PROFET+ 48V family)
Current Limitation — Adjustable
Diagnostic Output — Current Sense (IS) pin
Input Logic — Active High and Active Low
Protection Features — Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit

Datenblätter & Ressourcen

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