BTF3050TEATMA1 vs BTH60801EPLXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BTF3050TEATMA1 제조: Infineon 및 BTH60801EPLXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BTF3050TEATMA1 BTH60801EPLXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.38 $1.74
Switch Type N-Channel Low-Side Power Switch —
출력 구성 1:1 (Single channel) —
Continuous Drain Current (ID) 3 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 100 mOhm —
Current Limit (Internal) 30 A —
Logic Input Voltage (Vcc) 3.0 V to 5.5 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
Turn-On Time Max 15 us —
Turn-Off Time Max 30 us —
Adjustable Slew Rate Yes (SR pin) —
ESD Protection Yes (on-chip) —
동작 온도 범위 -40 C to +150 C -40 °C to +150 °C (Tj)
패키지 PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-TSDSO-14 (exposed pad)
실장 유형 Surface Mount (DPAK tab) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100 qualified
Family HITFET+ (low-side) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Smart High-Side Power Switch
Number of Channels — 1
토폴로지 — High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump
On-State Resistance (RDS(on)) — 80 mΩ (typical)
Continuous Load Current — 2.5 A
Operating Voltage Range — 4 V to 54 V
Nominal Board Net — 48 V (PROFET+ 48V family)
Current Limitation — Adjustable
Diagnostic Output — Current Sense (IS) pin
Input Logic — Active High and Active Low
Protection Features — Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit

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