BTH60801EPLXUMA1 vs BTH62001ENAXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTH60801EPLXUMA1 von Infineon und BTH62001ENAXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTH60801EPLXUMA1 BTH62001ENAXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,74 $1,05
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 1 —
Topologie High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump —
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 2.5 A 1.7 A
Operating Voltage Range 4 V to 54 V 8 V to 60 V
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit Over-current, over-temperature, over-voltage, load-dump, reverse battery
Gehäuse PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TDSO-8-31
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C (Tj) -40 °C to +150 °C (junction)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — PROFET™ + 48V
Funktion — Smart High-Side Power Switch
Kanäle — 1
On-State Resistance (RDS(on) @ 25 °C) — 200 mΩ (typical)
Ausgangskonfiguration — High-Side
Input Type — Active-High / Active-Low
Current Sense — Analog proportional output
Functional Safety — ISO 26262-ready

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