BTH60801EPLXUMA1 vs BTH62001ENAXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTH60801EPLXUMA1 por Infineon y BTH62001ENAXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTH60801EPLXUMA1 BTH62001ENAXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,74 $1,05
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 1 —
Topología High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump —
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 2.5 A 1.7 A
Operating Voltage Range 4 V to 54 V 8 V to 60 V
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit Over-current, over-temperature, over-voltage, load-dump, reverse battery
Encapsulado PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TDSO-8-31
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +150 °C (Tj) -40 °C to +150 °C (junction)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — PROFET™ + 48V
Función — Smart High-Side Power Switch
Canales — 1
On-State Resistance (RDS(on) @ 25 °C) — 200 mΩ (typical)
Configuración de salida — High-Side
Input Type — Active-High / Active-Low
Current Sense — Analog proportional output
Functional Safety — ISO 26262-ready

Hojas de datos y recursos

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