BTS3011TEATMA1 vs ITS4100SSJNXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3011TEATMA1 von Infineon und ITS4100SSJNXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3011TEATMA1 ITS4100SSJNXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $0,89
Product Type Smart Low-Side Power Switch High-Side Power Switch
Number of Channels 1 —
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A —
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
Gehäuse PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-DSO-8 (exposed pad)
Anzahl der Pins 5 (4 + Tab) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified Yes (Automotive Grade)
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Topologie — 1:1 N-Channel High-Side
Maximum Continuous Load Current — 2 A
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value]
Operating Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VBB min/max]
Overvoltage Protection (Load Dump) — Yes
Overload Protection — Yes
Current Limitation — Yes
Short Circuit Protection — Yes
Thermal Shutdown with Restart — Yes
Reverse Battery Protection — Yes
Fast Demagnetization of Inductive Loads — Yes
Status / Diagnostic Output — Yes
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: Tj range]

Datenblätter & Ressourcen

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