BTS3011TEATMA1 vs ITS4100SSJNXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3011TEATMA1 por Infineon y ITS4100SSJNXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3011TEATMA1 ITS4100SSJNXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $0,89
Product Type Smart Low-Side Power Switch High-Side Power Switch
Number of Channels 1 —
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A —
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
Encapsulado PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-DSO-8 (exposed pad)
Número de pines 5 (4 + Tab) —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified Yes (Automotive Grade)
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Topología — 1:1 N-Channel High-Side
Maximum Continuous Load Current — 2 A
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value]
Operating Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VBB min/max]
Overvoltage Protection (Load Dump) — Yes
Overload Protection — Yes
Current Limitation — Yes
Short Circuit Protection — Yes
Thermal Shutdown with Restart — Yes
Reverse Battery Protection — Yes
Fast Demagnetization of Inductive Loads — Yes
Status / Diagnostic Output — Yes
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: Tj range]

Hojas de datos y recursos

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