BTS3050TFATMA1 vs BTS3060TFATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3050TFATMA1 von Infineon und BTS3060TFATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,02 $0,65
Part Number BTS3050TFATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family HITFET Smart Low-Side Switch —
Switch Type N-Channel Low-Side Smart Power Switch —
Anzahl der Ausgänge 1 —
RDS(on) (typ) 44 mOhm at 25 C —
Continuous Drain Current 4 A —
Load Voltage (max) 5.5 V —
Logic Input CMOS compatible, logic-level —
Status Output Yes (fault feedback) —
Protection Features Over-current, Over-temperature, Over-voltage, ESD —
Betriebstemperatur -40 C to +150 C (junction) —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (TO-252 / DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2+Tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualified —
RoHS Compliant —
Product Type — Smart Low-Side Power Switch
Manufacturer Family — HITFET
Number of Channels — 1
On-Resistance (RDS(on) typ) — 50 mΩ at 25°C
Maximum Continuous Load Current — 3 A
Maximum Load Supply Voltage — 42 V
Transistortyp — N-Channel Vertical Power MOSFET (monolithically integrated)
Switch Configuration — Low-Side, 1:1
Input Type — Logic-level gate input (3.3V / 5V compatible)
Diagnostic Output — Status pin (open-drain, requires pull-up)
Embedded Protection — Overcurrent, Overtemperature, Overvoltage, Open-load detection
Betriebstemperaturbereich — -40°C to +150°C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape & Reel (TF suffix)
RoHS-Status — Compliant

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