BTS3050TFATMA1 vs BTS3060TFATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3050TFATMA1 por Infineon y BTS3060TFATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,02 $0,65
Part Number BTS3050TFATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family HITFET Smart Low-Side Switch —
Switch Type N-Channel Low-Side Smart Power Switch —
Número de salidas 1 —
RDS(on) (typ) 44 mOhm at 25 C —
Continuous Drain Current 4 A —
Load Voltage (max) 5.5 V —
Logic Input CMOS compatible, logic-level —
Status Output Yes (fault feedback) —
Protection Features Over-current, Over-temperature, Over-voltage, ESD —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C (junction) —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (TO-252 / DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2+Tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualified —
RoHS Compliant —
Product Type — Smart Low-Side Power Switch
Manufacturer Family — HITFET
Number of Channels — 1
On-Resistance (RDS(on) typ) — 50 mΩ at 25°C
Maximum Continuous Load Current — 3 A
Maximum Load Supply Voltage — 42 V
Tipo de transistor — N-Channel Vertical Power MOSFET (monolithically integrated)
Switch Configuration — Low-Side, 1:1
Input Type — Logic-level gate input (3.3V / 5V compatible)
Diagnostic Output — Status pin (open-drain, requires pull-up)
Embedded Protection — Overcurrent, Overtemperature, Overvoltage, Open-load detection
Rango de temperatura de funcionamiento — -40°C to +150°C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape & Reel (TF suffix)
Estado RoHS — Compliant

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