BTS3060TFATMA1 vs BTS3050TFATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3060TFATMA1 von Infineon und BTS3050TFATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3060TFATMA1 BTS3050TFATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $1,02
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Manufacturer Family HITFET —
Number of Channels 1 —
On-Resistance (RDS(on) typ) 50 mΩ at 25°C —
Maximum Continuous Load Current 3 A —
Maximum Load Supply Voltage 42 V —
Transistortyp N-Channel Vertical Power MOSFET (monolithically integrated) —
Switch Configuration Low-Side, 1:1 —
Input Type Logic-level gate input (3.3V / 5V compatible) —
Diagnostic Output Status pin (open-drain, requires pull-up) —
Embedded Protection Overcurrent, Overtemperature, Overvoltage, Open-load detection —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2+Tab) PG-TO252-3-313 (TO-252 / DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40°C to +150°C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape & Reel (TF suffix) —
RoHS-Status Compliant —
Part Number — BTS3050TFATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — HITFET Smart Low-Side Switch
Switch Type — N-Channel Low-Side Smart Power Switch
Anzahl der Ausgänge — 1
RDS(on) (typ) — 44 mOhm at 25 C
Continuous Drain Current — 4 A
Load Voltage (max) — 5.5 V
Logic Input — CMOS compatible, logic-level
Status Output — Yes (fault feedback)
Protection Features — Over-current, Over-temperature, Over-voltage, ESD
Betriebstemperatur — -40 C to +150 C (junction)
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern