BTS3060TFATMA1 vs BTS3050TFATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3060TFATMA1 por Infineon y BTS3050TFATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3060TFATMA1 BTS3050TFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $1,02
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Manufacturer Family HITFET —
Number of Channels 1 —
On-Resistance (RDS(on) typ) 50 mΩ at 25°C —
Maximum Continuous Load Current 3 A —
Maximum Load Supply Voltage 42 V —
Tipo de transistor N-Channel Vertical Power MOSFET (monolithically integrated) —
Switch Configuration Low-Side, 1:1 —
Input Type Logic-level gate input (3.3V / 5V compatible) —
Diagnostic Output Status pin (open-drain, requires pull-up) —
Embedded Protection Overcurrent, Overtemperature, Overvoltage, Open-load detection —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2+Tab) PG-TO252-3-313 (TO-252 / DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +150°C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape & Reel (TF suffix) —
Estado RoHS Compliant —
Part Number — BTS3050TFATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — HITFET Smart Low-Side Switch
Switch Type — N-Channel Low-Side Smart Power Switch
Número de salidas — 1
RDS(on) (typ) — 44 mOhm at 25 C
Continuous Drain Current — 4 A
Load Voltage (max) — 5.5 V
Logic Input — CMOS compatible, logic-level
Status Output — Yes (fault feedback)
Protection Features — Over-current, Over-temperature, Over-voltage, ESD
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +150 C (junction)
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

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