BTS500801TEAAUMA1 vs BTS3011TEATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS500801TEAAUMA1 von Infineon und BTS3011TEATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS500801TEAAUMA1 BTS3011TEATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,74 $0,51
Product Family Classic PROFET (smart high-side switch) —
Topologie 1:1 N-Channel high-side —
Nominal Supply Voltage 12 V —
Load Supply Voltage Range 4.5 V to 28 V —
Continuous Load Current 10 A 10 A
On-State Resistance (RDS(on)) 10 milliohms (typical) —
Ausgangskonfiguration High-side —
Number of Channels 1 1
Fault Protection Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD —
Diagnostic Output Current sense (IS pin) Open-drain status feedback pin
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gehäuse PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab) PG-TO252-5 (DPAK-5)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q100 target application) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Power Transistor Technology N-channel vertical power MOSFET with charge pump —
Product Type — Smart Low-Side Power Switch
On-Resistance R_DS(on) (typ.) — 11 mΩ
Operating Voltage Range — 3 V to 28 V
Switch Technology — N-channel vertical power MOSFET
Input Type — Logic-level CMOS compatible
Anzahl der Pins — 5 (4 + Tab)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 °C to +150 °C
ESD Protection (HBM) — ±8 kV (output pin)
AEC-Q100 Qualification — Grade 1 qualified
Integrated Protections — Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection

Datenblätter & Ressourcen

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