BTS500801TEAAUMA1 vs BTS3011TEATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTS500801TEAAUMA1 par Infineon et BTS3011TEATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTS500801TEAAUMA1 BTS3011TEATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,74 $0,51
Product Family Classic PROFET (smart high-side switch) —
Topologie 1:1 N-Channel high-side —
Nominal Supply Voltage 12 V —
Load Supply Voltage Range 4.5 V to 28 V —
Continuous Load Current 10 A 10 A
On-State Resistance (RDS(on)) 10 milliohms (typical) —
Configuration de sortie High-side —
Number of Channels 1 1
Fault Protection Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD —
Diagnostic Output Current sense (IS pin) Open-drain status feedback pin
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Boîtier PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab) PG-TO252-5 (DPAK-5)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q100 target application) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Power Transistor Technology N-channel vertical power MOSFET with charge pump —
Product Type — Smart Low-Side Power Switch
On-Resistance R_DS(on) (typ.) — 11 mΩ
Operating Voltage Range — 3 V to 28 V
Switch Technology — N-channel vertical power MOSFET
Input Type — Logic-level CMOS compatible
Nombre de broches — 5 (4 + Tab)
Température de jonction en fonctionnement — -40 °C to +150 °C
ESD Protection (HBM) — ±8 kV (output pin)
AEC-Q100 Qualification — Grade 1 qualified
Integrated Protections — Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection

Fiches techniques et ressources

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