CY14B101J2-SXI vs CY14B101J2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von CY14B101J2-SXI von Infineon und CY14B101J2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter CY14B101J2-SXI CY14B101J2
Marke Infineon Infineon
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,40 $0,19
Speichertyp nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße 1 Mbit —
Speicherorganisation 128K x 8 128K x 8
Schnittstelle I2C Serial (2-wire) I2C (Serial)
Maximale Taktfrequenz 3.4 MHz —
Data Retention 20 years 20 years
Density 1049 kbits 1 Mbit (1049 kbits)
Package Type 8-SOIC (0.300 inch, MO-119 family) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: supply voltage range] [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Write Endurance Unlimited SRAM reads/writes; non-volatile STORE endurance [DATA_NEEDED: STORE endurance] —
Store Mechanism Software / auto-store with external VCAP capacitor —
RoHS-Status RoHS Compliant RoHS Compliant
Packaging Tube —
Max Clock Frequency — 3.4 MHz
Store Cycles — [DATA_NEEDED: minimum non-volatile store cycles]
SRAM Read/Write Cycles — Unlimited (per nvSRAM architecture)
Address Pins — A0, A1, A2
Automatic Store — Yes (internal power-fail detection)
Gehäuse — 16-SOIC (MO-119, 0.300 inch)
Real Time Clock — [DATA_NEEDED: RTC availability]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern