CY14B101J2-SXI vs CY14B101J2-SXIT Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von CY14B101J2-SXI von Infineon und CY14B101J2-SXIT von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter CY14B101J2-SXI CY14B101J2-SXIT
Marke Infineon Infineon
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,40 $1,65
Speichertyp nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße 1 Mbit 1 Mbit (128K x 8)
Speicherorganisation 128K x 8 128K words x 8 bits
Schnittstelle I2C Serial (2-wire) I2C (2-wire serial)
Maximale Taktfrequenz 3.4 MHz —
Data Retention 20 years [DATA_NEEDED: data retention duration]
Density 1049 kbits —
Package Type 8-SOIC (0.300 inch, MO-119 family) SOIC-16, 0.300 inch (MO-119)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Write Endurance Unlimited SRAM reads/writes; non-volatile STORE endurance [DATA_NEEDED: STORE endurance] —
Store Mechanism Software / auto-store with external VCAP capacitor —
RoHS-Status RoHS Compliant Compliant (SOIC-16, RoHS compliant per digchip)
Packaging Tube Tape & Reel (T suffix)
Max Clock Frequency — 3.4 MHz
Betriebsversorgungsspannung — 3.0 V (B series core range, 2.7V to 3.6V per datasheet)
Store Cycles — [DATA_NEEDED: non-volatile store cycle endurance]
SRAM Read/Write Cycles — Infinite (unlimited)
Pins — 16
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Series — CY14B101J2
Real-Time Clock — [DATA_NEEDED: RTC availability confirmation]

Datenblätter & Ressourcen

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