CY14B101J2-SXI vs CY14B101J2-SXIT Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CY14B101J2-SXI par Infineon et CY14B101J2-SXIT par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre CY14B101J2-SXI CY14B101J2-SXIT
Marque Infineon Infineon
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,40 $1,65
Type de mémoire nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Taille de mémoire 1 Mbit 1 Mbit (128K x 8)
Organisation de la mémoire 128K x 8 128K words x 8 bits
Interface I2C Serial (2-wire) I2C (2-wire serial)
Fréquence d'horloge maximale 3.4 MHz —
Data Retention 20 years [DATA_NEEDED: data retention duration]
Density 1049 kbits —
Package Type 8-SOIC (0.300 inch, MO-119 family) SOIC-16, 0.300 inch (MO-119)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Write Endurance Unlimited SRAM reads/writes; non-volatile STORE endurance [DATA_NEEDED: STORE endurance] —
Store Mechanism Software / auto-store with external VCAP capacitor —
Statut RoHS RoHS Compliant Compliant (SOIC-16, RoHS compliant per digchip)
Packaging Tube Tape & Reel (T suffix)
Max Clock Frequency — 3.4 MHz
Tension d'alimentation de fonctionnement — 3.0 V (B series core range, 2.7V to 3.6V per datasheet)
Store Cycles — [DATA_NEEDED: non-volatile store cycle endurance]
SRAM Read/Write Cycles — Infinite (unlimited)
Pins — 16
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Series — CY14B101J2
Real-Time Clock — [DATA_NEEDED: RTC availability confirmation]

Fiches techniques et ressources

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