CY14B101J2-SXIT vs CY14B101J2-SXI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von CY14B101J2-SXIT von Infineon und CY14B101J2-SXI von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter CY14B101J2-SXIT CY14B101J2-SXI
Marke Infineon Infineon
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $3,40
Speichertyp nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße 1 Mbit (128K x 8) 1 Mbit
Schnittstelle I2C (2-wire serial) I2C Serial (2-wire)
Max Clock Frequency 3.4 MHz —
Betriebsversorgungsspannung 3.0 V (B series core range, 2.7V to 3.6V per datasheet) —
Speicherorganisation 128K words x 8 bits 128K x 8
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention duration] 20 years
Store Cycles [DATA_NEEDED: non-volatile store cycle endurance] —
SRAM Read/Write Cycles Infinite (unlimited) —
Betriebstemperatur -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Type SOIC-16, 0.300 inch (MO-119) 8-SOIC (0.300 inch, MO-119 family)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pins 16 —
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS-Status Compliant (SOIC-16, RoHS compliant per digchip) RoHS Compliant
Packaging Tape & Reel (T suffix) Tube
Product Series CY14B101J2 —
Real-Time Clock [DATA_NEEDED: RTC availability confirmation] —
Maximale Taktfrequenz — 3.4 MHz
Density — 1049 kbits
Versorgungsspannung — [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Write Endurance — Unlimited SRAM reads/writes; non-volatile STORE endurance [DATA_NEEDED: STORE endurance]
Store Mechanism — Software / auto-store with external VCAP capacitor

Datenblätter & Ressourcen

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