CY14B101J2-SXIT vs CY14B101J2-SXI Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CY14B101J2-SXIT par Infineon et CY14B101J2-SXI par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre CY14B101J2-SXIT CY14B101J2-SXI
Marque Infineon Infineon
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $3,40
Type de mémoire nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Taille de mémoire 1 Mbit (128K x 8) 1 Mbit
Interface I2C (2-wire serial) I2C Serial (2-wire)
Max Clock Frequency 3.4 MHz —
Tension d'alimentation de fonctionnement 3.0 V (B series core range, 2.7V to 3.6V per datasheet) —
Organisation de la mémoire 128K words x 8 bits 128K x 8
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention duration] 20 years
Store Cycles [DATA_NEEDED: non-volatile store cycle endurance] —
SRAM Read/Write Cycles Infinite (unlimited) —
Température de fonctionnement -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Type SOIC-16, 0.300 inch (MO-119) 8-SOIC (0.300 inch, MO-119 family)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Pins 16 —
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Statut RoHS Compliant (SOIC-16, RoHS compliant per digchip) RoHS Compliant
Packaging Tape & Reel (T suffix) Tube
Product Series CY14B101J2 —
Real-Time Clock [DATA_NEEDED: RTC availability confirmation] —
Fréquence d'horloge maximale — 3.4 MHz
Density — 1049 kbits
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Write Endurance — Unlimited SRAM reads/writes; non-volatile STORE endurance [DATA_NEEDED: STORE endurance]
Store Mechanism — Software / auto-store with external VCAP capacitor

Fiches techniques et ressources

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