DG413DJ-E3 vs DG413 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von DG413DJ-E3 von Vishay Intertechnology und DG413 von Analog Devices. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Vishay Intertechnology
DG413DJ-E3 DG413DJ-E3 - Quad SPST CMOS Analog Switch 35 Ohm | Vishay

DG413DJ-E3 - Quad SPST CMOS Analog Switch 35 Ohm | Vishay

DG413DJ-E3 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter DG413DJ-E3 DG413
Marke Vishay Intertechnology Analog Devices
Kategorie Interface ICs Logic ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $3,34
Product Type Quad SPST CMOS Analog Switch —
Number of Circuits 4 —
Switch Circuit SPST - NO/NC (2 NO, 2 NC) —
On-Resistance (Max) 35 ohm —
Betriebsversorgungsspannung 5 V to 44 V —
Dual Supply Range +/-13.5 V to +/-16.5 V ±4.5 V to ±20 V
Charge Injection 5 pC Reduced vs DG211/DG212 (value [DATA_NEEDED: charge injection value])
Crosstalk -85 dB at 1 MHz —
Off Capacitance CS(off) 9 pF —
Off Capacitance CD(off) 9 pF —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +85 C —
Gehäuse 16-PDIP (0.300 in, 7.62 mm) SOIC-16 (DY suffix)
Montageart Through Hole Surface Mount
Logic Inputs TTL and CMOS compatible —
RoHS-Status Compliant (E3 suffix) Compliant
Packaging Tube —
Switch Configuration — Quad SPST (2 NC + 2 NO)
On-Resistance (rDS on) — 35 ohm max
Turn-On Time (tON) — 150 ns max
Turn-Off Time (tOFF) — 100 ns max
Maximum Supply Voltage — 44 V
Single Supply Range — +10 V to +30 V
Analog Signal Range — 15 V (within rails), up to 40 Vp-p with 44 V process
Digital Input Compatibility — TTL and CMOS
Technology — High-voltage silicon-gate CMOS, epi layer latch-up immune
Power Dissipation — 0.35 mW (ultra low, typ per family data)
Number of Channels — 4
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Datenblätter & Ressourcen

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