DMN3190LDW-7 vs JMTG100N06A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von DMN3190LDW-7 von Diodes Incorporated und JMTG100N06A von Jiejie Micro. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter DMN3190LDW-7 JMTG100N06A
Marke Diodes Incorporated Jiejie Micro
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,10 $0,15
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A —
Power Dissipation (PD) 320 mW —
Gehäuse SOT-363 (SC-70-6) 6-pin PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains —
Technology Silicon N-Channel MOSFET —
Channel Mode Enhancement —
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd
Transistortyp — N-Channel Power Trench MOSFET
Drain-Source Voltage V(DSS) — 60 V
Continuous Drain Current I(D) — 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C)
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V — 7.7 mΩ
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V — 8.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ — 1.5 V
Plating — Pb-free
Halogenfrei — Yes
RoHS — Compliant
UIS (Avalanche) Tested — 100 %
V(DS) Tested — 100 %
EAS Test Condition — T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A
Primary Applications — Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive

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