DMN3190LDW-7 vs JMTG100N06A Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de DMN3190LDW-7 par Diodes Incorporated et JMTG100N06A par Jiejie Micro. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre DMN3190LDW-7 JMTG100N06A
Marque Diodes Incorporated Jiejie Micro
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,10 $0,15
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A —
Power Dissipation (PD) 320 mW —
Boîtier SOT-363 (SC-70-6) 6-pin PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains —
Technology Silicon N-Channel MOSFET —
Channel Mode Enhancement —
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd
Type de transistor — N-Channel Power Trench MOSFET
Drain-Source Voltage V(DSS) — 60 V
Continuous Drain Current I(D) — 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C)
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V — 7.7 mΩ
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V — 8.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ — 1.5 V
Plating — Pb-free
Sans halogène — Yes
RoHS — Compliant
UIS (Avalanche) Tested — 100 %
V(DS) Tested — 100 %
EAS Test Condition — T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A
Primary Applications — Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive

Fiches techniques et ressources

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