EDB1332BDBH-1DAUT-F-D vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-R Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EDB1332BDBH-1DAUT-F-D von Micron Technology und EDB1332BDBH-1DAUT-F-R von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ Aktiv
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-R
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,16 $3,40
Speichertyp SDRAM - Mobile LPDDR2 SDRAM Mobile - LPDDR2
Speichergröße 1 Gbit 1 Gbit
Speicherorganisation 32M x 32 32M x 32
Schnittstelle Parallel Parallel
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Core Supply Voltage 1.2 V —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.95 V —
Access Mode Single Bank Page Burst —
Gehäuse 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 mm x 11.5 mm)
Number of Terminals 134 —
Montageart Surface Mount —
Temperature Grade Automotive —
Package Shape Rectangular —
Packaging Suffix -D (Dry Pack) —
Moisture Sensitivity Dry Pack (per -D suffix) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Datenbusbreite — 32 bit
Supply Voltage - Min — 1.14 V
Supply Voltage - Typ — 1.2 V
Operating Temperature - Min — -40 C
Operating Temperature - Max — +125 C
JEDEC Package Code — R-PBGA-B134
Montagestil — SMD/SMT
Factory Pack Quantity — 1000
Packaging — Tape & Reel (-R suffix)
Technology — CMOS
RoHS-Status — Compliant

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