EDB1332BDBH-1DAUT-F-D vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-R Сравнение

Подробное сравнение бок о бок EDB1332BDBH-1DAUT-F-D от Micron Technology и EDB1332BDBH-1DAUT-F-R от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ Активен
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-R
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,16 $3,40
Тип памяти SDRAM - Mobile LPDDR2 SDRAM Mobile - LPDDR2
Размер памяти 1 Gbit 1 Gbit
Организация памяти 32M x 32 32M x 32
Интерфейс Parallel Parallel
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Core Supply Voltage 1.2 V —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.95 V —
Access Mode Single Bank Page Burst —
Корпус 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 mm x 11.5 mm)
Number of Terminals 134 —
Тип монтажа Surface Mount —
Temperature Grade Automotive —
Package Shape Rectangular —
Packaging Suffix -D (Dry Pack) —
Moisture Sensitivity Dry Pack (per -D suffix) —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Разрядность шины данных — 32 bit
Supply Voltage - Min — 1.14 V
Supply Voltage - Typ — 1.2 V
Operating Temperature - Min — -40 C
Operating Temperature - Max — +125 C
JEDEC Package Code — R-PBGA-B134
Способ монтажа — SMD/SMT
Factory Pack Quantity — 1000
Packaging — Tape & Reel (-R suffix)
Technology — CMOS
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену