EDB5432BEBH-1DAUT-F-D vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-D Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EDB5432BEBH-1DAUT-F-D von Micron Technology und EDB1332BDBH-1DAUT-F-D von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D EDB5432BEBH-1DAUT-F-D - 512Mb LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D - 512Mb LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D ✓ Aktiv
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter EDB5432BEBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,45 $2,16
Speichertyp Mobile LPDDR2 SDRAM SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 512 Mbit 1 Gbit
Speicherorganisation 16M x 32 32M x 32
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.95 V 1.14 V to 1.95 V
Core Voltage 1.2 V (typical, LPDDR2) —
Schnittstelle Parallel Parallel
Gehäuse 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive Automotive
Terminals 134 balls —
Terminal Form Ball (VFBGA) —
Package Shape Rectangular Rectangular
RoHS Code Yes (D suffix, lead-free) —
Part Life Cycle Code Active —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Standard Qty per Reel/Tray [DATA_NEEDED: packaging standard quantity] —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Access Mode — Single Bank Page Burst
Number of Terminals — 134
Packaging Suffix — -D (Dry Pack)
Moisture Sensitivity — Dry Pack (per -D suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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