EP3SE110F780I3N vs EP3SE50F780I3G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP3SE110F780I3N von Intel und EP3SE50F780I3G von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP3SE110F780I3N EP3SE50F780I3G
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus NRND NRND
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1.950,00 $1.082,02
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements 107,500 —
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 (approximately 1.1 MB) —
Maximum User I/Os 488 —
Core Voltage 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) 1.1 V
Process Technology 65 nm CMOS TSMC 40 nm
Gehäuse 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) 780-pin FC-FBGA (F780) 29x29 mm
Betriebstemperatur -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) -40C to +100C (Industrial, I3)
Configuration Interface Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) —
Boundary-Scan Test Yes, per IEEE Std. 1149.1 —
Speed Grade 3 (Fast) 3
PLLs Yes, with global and regional clock networks —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 3
Supply Voltage Tolerance 1.05 V to 1.15 V —
Logic Elements (LE) — 47,500
Adaptive Logic Modules (ALM) — 19,000
Embedded Memory — 8.7 Mbits (M9K + M144K blocks)
DSP Blocks — 264 (18x18 multipliers)
Maximum User I/O Pins — 488
Transceivers — 12 channels, up to 3.75 Gbps
Memory Interfaces — DDR3 up to 800 MHz, DDR2, QDR II+ SRAM
PCI Express Hard IP — Gen1 x1/x4/x8
Lead-Free — Yes

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