EP3SE110F780I3N vs EP3SE50F780I3G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE110F780I3N par Intel et EP3SE50F780I3G par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SE110F780I3N EP3SE50F780I3G
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie NRND NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1 950,00 $1 082,02
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements 107,500 —
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 (approximately 1.1 MB) —
Maximum User I/Os 488 —
Core Voltage 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) 1.1 V
Process Technology 65 nm CMOS TSMC 40 nm
Boîtier 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) 780-pin FC-FBGA (F780) 29x29 mm
Température de fonctionnement -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) -40C to +100C (Industrial, I3)
Configuration Interface Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) —
Boundary-Scan Test Yes, per IEEE Std. 1149.1 —
Speed Grade 3 (Fast) 3
PLLs Yes, with global and regional clock networks —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 3
Supply Voltage Tolerance 1.05 V to 1.15 V —
Logic Elements (LE) — 47,500
Adaptive Logic Modules (ALM) — 19,000
Embedded Memory — 8.7 Mbits (M9K + M144K blocks)
DSP Blocks — 264 (18x18 multipliers)
Maximum User I/O Pins — 488
Transceivers — 12 channels, up to 3.75 Gbps
Memory Interfaces — DDR3 up to 800 MHz, DDR2, QDR II+ SRAM
PCI Express Hard IP — Gen1 x1/x4/x8
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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