EP3SE50F780C4L vs EP3SE50F780C4G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP3SE50F780C4L von Intel und EP3SE50F780C4G von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP3SE50F780C4L EP3SE50F780C4G
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus NRND Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1.320,00 $593,00
Series Stratix III E Stratix III
Family Stratix III Stratix III E
Logic Elements (LE) 47,500 —
Embedded Memory 5,760,000 bits 5.76 Mbit (5760000 bit)
User I/Os 488 —
DSP Blocks (18x18 multipliers) 304 (19x16) —
Gehäuse 780-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) 780-ball FBGA (FCBGA)
Process Node 40 nm —
Core Voltage 1.1 V —
Speed Grade C4 (commercial, speed 4) —
Lead-Free (L suffix) Yes —
Configuration Method Passive Serial / Fast Passive Parallel / JTAG / Enhanced —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: full industrial/commercial grade] —
RoHS-Status Compliant (lead-free) Compliant
Transceivers [DATA_NEEDED: per Stratix III E variant] —
PLLs [DATA_NEEDED: PLL count] —
Logic Elements — 47,500 LE
Adaptive Logic Modules (ALMs) — 19,000 ALM
Number of I/Os — 488
Number of Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count from datasheet]
Number of Multipliers (18x18) — [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count]
Process Technology — 40 nm TSMC
Core Supply Voltage — 1.1 V
Betriebstemperaturbereich — 0 C to +85 C (commercial)
Montageart — Surface Mount (SMD/SMT)
Lead-Free — Yes
MSL-Level — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration Memory — SRAM-based (volatile, requires configuration device)
Design Software — Quartus II

Datenblätter & Ressourcen

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