EP4CE115F23I7N vs EP4CE75F29I7 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP4CE115F23I7N von Intel und EP4CE75F29I7 von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP4CE115F23I7N EP4CE75F29I7
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $87,95 $121,30
Series Cyclone IV E Cyclone IV E
Family EP4CE115 (F23 package) —
Logic Elements (LE) 114,480 —
Embedded Memory Bits 3,981,312 bits —
Maximum User I/Os 280 —
Logic Array Blocks (LABs) 7,180 —
Number of PLLs 4 —
18x18 Hardware Multipliers 266 —
Core Voltage 1.0 V / 1.2 V —
I/O Voltage Banks 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
Betriebstemperatur -40C to +100C (Industrial) -40 °C to +100 °C (Industrial)
Gehäuse 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch 780-ball FBGA (FineLine BGA)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 60 nm low-power CMOS (TSMC) —
Configuration Method JTAG, Active Serial, Active Parallel —
MSL-Level 3 3 (168 hours)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Logic Elements (LEs) — 75,408
Embedded Memory (bits) — 2,810,880
Embedded Memory Blocks — 274 (M9K)
Embedded 18×18 Multipliers — 200
PLLs — 4
User I/O Count — 426
Process Node — 60 nm low-power CMOS
Core Voltage (VCCINT) — 1.0 V / 1.2 V selectable
Configuration Modes — JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS)
I/O Standards Supported — LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL
External Memory Interfaces — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM

Datenblätter & Ressourcen

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