EP4CE115F23I7N vs EP4CE75F29I7 비교

다음의 상세 나란히 비교: EP4CE115F23I7N 제조: Intel 및 EP4CE75F29I7 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 EP4CE115F23I7N EP4CE75F29I7
브랜드 Intel Intel
카테고리 FPGA & CPLD FPGA & CPLD
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $87.95 $121.30
Series Cyclone IV E Cyclone IV E
Family EP4CE115 (F23 package) —
Logic Elements (LE) 114,480 —
Embedded Memory Bits 3,981,312 bits —
Maximum User I/Os 280 —
Logic Array Blocks (LABs) 7,180 —
Number of PLLs 4 —
18x18 Hardware Multipliers 266 —
Core Voltage 1.0 V / 1.2 V —
I/O Voltage Banks 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
동작 온도 -40C to +100C (Industrial) -40 °C to +100 °C (Industrial)
패키지 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch 780-ball FBGA (FineLine BGA)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 60 nm low-power CMOS (TSMC) —
Configuration Method JTAG, Active Serial, Active Parallel —
MSL 레벨 3 3 (168 hours)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Logic Elements (LEs) — 75,408
Embedded Memory (bits) — 2,810,880
Embedded Memory Blocks — 274 (M9K)
Embedded 18×18 Multipliers — 200
PLLs — 4
User I/O Count — 426
Process Node — 60 nm low-power CMOS
Core Voltage (VCCINT) — 1.0 V / 1.2 V selectable
Configuration Modes — JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS)
I/O Standards Supported — LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL
External Memory Interfaces — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM

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