EP4CE15F23C8N vs EP4CE115F23C8N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP4CE15F23C8N von Intel und EP4CE115F23C8N von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP4CE15F23C8N EP4CE115F23C8N
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $33,10 $145,00
Series Cyclone IV E Cyclone IV E
Logic Elements 15,408 114,480 LE
Embedded Memory Bits 516,096 bits (63 KBytes) —
Embedded Multipliers (18x18) 343 —
General-purpose PLLs 4 4
Maximum User I/O Pins 343 —
Gehäuse 484-BGA (FineLine BGA, F23, 23x23 mm, 1.0 mm pitch) 484-ball FineLine BGA (F23)
Process Technology 60 nm low-leakage CMOS —
Core Voltage (VCCINT) 1.0 V to 1.2 V —
I/O Bank Voltage (VCCIO) 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
Betriebstemperatur 0C to 85C (Commercial) 0C to +85C (Commercial)
Speed Grade C8 (commercial, 8 ns internal timing) C8
Configuration Modes AS / PS / JTAG / FPP —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
MSL-Level MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Hard IP Blocks PCIe Gen1 root port, external memory interface —
Embedded Memory Type M9K (9 Kbit each) —
Embedded Memory — 3,981,312 bits (3.8 Mbit)
User I/O Count — 280
Number of Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count]
Embedded 18x18 Multipliers — 432
Process Node — 60 nm
Core Voltage — 1.2 V
Ball Pitch — 1.0 mm

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