EPM2210F256C4N vs EPM2210F256C3N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EPM2210F256C4N von Intel und EPM2210F256C3N von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EPM2210F256C4N EPM2210F256C3N
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $39,85 $47,10
Family MAX II —
Device Type CPLD CPLD (Complex Programmable Logic Device)
Logic Elements (LE) 2210 —
Macro Cells 1700 —
User Flash Memory 204 Kbit 8 Kbits
Maximum Internal Frequency 247.5 MHz —
Pin-to-Pin Propagation Delay (tPD) 7.0 ns —
Maximum User I/O Pins 212 (varies with package) —
Global Clock Networks 4 —
Process Technology 0.18 µm 0.18 um flash CMOS
Core Supply Voltage 3.0 V to 3.6 V (3.3 V typical) —
MultiVolt I/O Standards 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V LVTTL/LVCMOS, PCI 66 MHz —
Betriebstemperaturbereich 0 °C to +85 °C (Commercial) —
Gehäuse 256-ball FineLine BGA (FBGA) 256-ball FineLine BGA (FBGA), 17 x 17 mm, 1.0 mm pitch
Programming Interface JTAG IEEE Std. 1149.1 + ISP —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant (per DigiKey product page)
Lead-Free Yes —
Series — MAX II
Programmable Type — In System Programmable (JTAG, IEEE 1149.1)
Macrocells — 1700
Logic Elements / Blocks — 2210
Number of User I/Os — 204
Maximum Propagation Delay (tPD) — 7 ns
Maximum Internal Frequency (fMAX) — 304 MHz
Internal Supply Voltage — 2.5 V / 3.3 V (on-chip regulator allows single 3.3 V rail)
I/O Standard Support — 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V LVCMOS (MultiVolt)
Configuration Memory — On-chip flash (non-volatile, instant-on)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — 0 C to 85 C (commercial, TJ suffix 'C')
MSL-Level — 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for FBGA)

Datenblätter & Ressourcen

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