H58G66CK8BX147N vs H58G46AK6PX033N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H58G66CK8BX147N von SK hynix und H58G46AK6PX033N von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H58G66CK8BX147N H58G46AK6PX033N
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $34,60 $0,00
Speichertyp LPDDR5X SDRAM LPDDR5 SDRAM
Density 64 Gbit (8 GB) 16 Gb (2 GB)
Speicherorganisation x8 (single channel) x16
Maximum Data Rate 8533 Mbps —
Supply Voltage Domain 0.5 V to 1.8 V —
Core Voltage Class 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) —
Gehäuse 315-ball FBGA 315-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Standard Compliance JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) —
Schnittstelle LPDDR5/LPDDR5X protocol —
Channel Configuration Single channel (x8 or x16 capable family) —
Power Management Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) —
Application Domain Smartphone, AI edge, server-class mobile computing Mobile, automotive, industrial controllers, computing modules
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Scheme LPDDR5 per-bank / all-bank refresh —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Datenrate — 6400 Mbps/pin
Interface Standard — JEDEC LPDDR5
VDD2 Supply Voltage — 1.8 V
VDDQ Supply Voltage — 1.05 V
VDD1 (Core) Supply Voltage — 0.5 V
Grade — Automotive
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

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