H58G66CK8BX147N vs H58G46AK6PX033N Comparación

Comparación detallada lado a lado de H58G66CK8BX147N por SK hynix y H58G46AK6PX033N por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H58G66CK8BX147N H58G46AK6PX033N
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $34,60 $0,00
Tipo de memoria LPDDR5X SDRAM LPDDR5 SDRAM
Density 64 Gbit (8 GB) 16 Gb (2 GB)
Organización de memoria x8 (single channel) x16
Maximum Data Rate 8533 Mbps —
Supply Voltage Domain 0.5 V to 1.8 V —
Core Voltage Class 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) —
Encapsulado 315-ball FBGA 315-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Standard Compliance JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) —
Interfaz LPDDR5/LPDDR5X protocol —
Channel Configuration Single channel (x8 or x16 capable family) —
Power Management Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) —
Application Domain Smartphone, AI edge, server-class mobile computing Mobile, automotive, industrial controllers, computing modules
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Scheme LPDDR5 per-bank / all-bank refresh —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Velocidad de datos — 6400 Mbps/pin
Interface Standard — JEDEC LPDDR5
VDD2 Supply Voltage — 1.8 V
VDDQ Supply Voltage — 1.05 V
VDD1 (Core) Supply Voltage — 0.5 V
Grade — Automotive
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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