H5AN4G6NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G6NBJR-PBC von SK hynix und H5ANAG6NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,60 $6,45
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Schnittstelle DDR4 (double data rate, synchronous) —
Package Code TFBGA —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96
Number of Terminals 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Eigenschaften Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
Density — 16 Gb (2 GB)
Versorgungsspannung — 1.2 V
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]
RoHS-Status — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

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